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科目名 | 触媒化学特論 | ||||
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教員名 | 山岸 敬道 | ||||
単位数 | 2 | 課程 | 前期課程 | 開講区分 | 文理学部 |
科目群 | 相関理化学専攻 | ||||
学期 | 後期 | 履修区分 | 必修 |
授業テーマ | 金属錯体触媒による触媒反応機構と素反応ステップの制御 |
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授業のねらい・到達目標 | 金属錯体触媒反応に含まれる素反応ステップの性格を理解し、反応機構を考察する事により触媒設計のための基礎的知識を得る |
授業の方法 | 毎回プリントを配布して講義を行う。 |
授業計画 | |
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1 | 触媒概論 触媒の種類と金属錯体触媒の特徴 |
2 | 金属錯体研究の歴史、錯体触媒の実用化例 |
3 | 触媒反応機構解明のためになすべきこと、触媒反応における中間体の構造 |
4 | σ錯体とπ錯体、EAN則と18電子則、トランス効果とトランス影響 |
5 | 金属錯体における基本的反応1 配位と解離 |
6 | 金属錯体における基本的反応2 酸化的付加と還元的脱離 |
7 | 金属錯体における基本的反応3 挿入反応と脱離反応、トランスメタル化 |
8 | 水素の酸化的付加、C−H結合の活性化、酸素の酸化的付加 |
9 | メタルヒドリドが関与する触媒反応 |
10 | カルボニル化合物を合成する触媒反応 |
11 | 重合反応、カップリング反応、アリルアルキル化 |
12 | 酸化反応、酸素化反応, |
13 | 不斉触媒反応、不斉誘導と不斉増幅 |
14 | 触媒反応系の設計例 |
15 | 試験またはレポート |
その他 | |
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成績評価の方法及び基準 | レポート(70%)、授業内テスト(30%) |
オフィスアワー | 授業終了後、本館2Fにある講師室で20分間 |